Carborundum nwa
Carborundum nwa Deskripsyon
Nan kèk ane kap vini yo, pwopòsyon gwo -gay Silisyòm epitaxial wafers ap ogmante ane pa ane. Kòm 4-pous Silisyòm carbure substrate ak teknoloji epitaxial te vin de pli zan pli matirite, Se poutèt sa, 4-pous Silisyòm carbure epitaxial wafer pa gen okenn ankò yon mank de rezèv, espas rediksyon pri nan lavni li yo limite. Anplis de sa, byenke aktyèl manifaktirè yo avanse entènasyonal yo te devlope 8-pous Silisyòm carbure substrate, men antre li nan mache a Silisyòm carbure pouvwa manifakti aparèy pral yon pwosesis long, ak spirasyon nan gradyèl nan 8-pous Silisyòm carbure epitaxial teknoloji a, tan kap vini an ka parèt 8-pous Silisyòm carbure pouvwa liy pwodiksyon aparèy.
Si w enterese pwodwi nou yo, kontakte nou kounye a! Nou ka Customize pwodwi nou yo selon kondisyon kliyan!
Nwa Silisyòm Carbide Powder Spesifikasyon
Nwa Silisyòm Carbide Powder founisè-ZhenAn International
|
Pwodwi |
Silisyòm carbure |
||
|
Nimewo CAS: |
409-21-2 |
||
|
Pite |
99% min |
Kantite: |
500.00kg |
|
Pakèt non. |
20120802 |
Gwosè |
1um |
|
Dat fabrikasyon: |
08 desanm 2020 |
Dat tès la: |
Desanm. 08, 2020 |
|
Atik tès la |
Spesifikasyon |
Rezilta yo |
|
|
SiC |
>99% |
>99% |
|
|
Fe2O3 |
<0.25% |
0.008% |
|
|
F.C |
<0.25% |
0.02% |
|
|
Ca |
<0.1% |
0.001% |
|
|
Mg |
<0.1% |
0.003% |
|
|
Cu |
<0.1% |
0.002% |
|
|
Dite (mohs) |
9.15 |
konfime |
|
|
Pwen k ap fonn (degre) |
2250 |
konfime |
|
|
Tanperati maksimòm sèvis (degre) |
1900 |
konfime |
|
Silisyòm Carbide 80 Grit manifakti -ZhenAn International
60 90 Founisè Grit Silicon Carbide-ZhenAn International
Epitaksi carbure Silisyòm sitou rezoud de gwo pwoblèm: kontwòl inifòmite epitaksi ak kontwòl defo epitaksi.
(1) Epitaxial wafer inifòmite kontwòl, akòz ogmantasyon nan epitaxial wafer gwosè souvan te akonpaye pa yon bès nan epitaxial wafer inifòmite, se konsa kontwòl inifòmite gwo -taille epitaxial wafer se kle pou amelyore sede ak fyab aparèy la, epi redwi pwi yo.
(2) Epitaxial kontwòl defo. Baz kristal avyon dislokasyon (BPD) se yon defo cristalline enpòtan ki afekte estabilite nan aparèy pouvwa bipolè carbure Silisyòm, ak rediksyon kontinyèl nan dansite BPD se direksyon prensipal la pou devlopman nan teknoloji kwasans epitaxial. Akòz gwo dansite BPD nan substrats carbure Silisyòm ki prepare pa transpò move tan fizik (PVT), pi fò nan BPD yo nan kouch epitaksial la ki danjere nan aparèy la soti nan pénétration nan BPDs nan substra a nan kouch epitaxial la. Se poutèt sa, amelyore kalite kristalizasyon substra a ka efektivman redwi dansite debwatman BPD nan kouch epitaxial la.
1500 Grit Silisyòm Carbide Powder Kliyan vizite foto
FAQ
K: Èske ou se yon manifakti?
A: Wi, nou se yon manifakti ki sitiye nan Anyang City, Henan Province.As yon founisè pwofesyonèl nan matyè premyè métallurgique, nou toujou mete bon jan kalite pwodwi an premye. Nou itilize ekipman ki pi avanse ak teknoloji ki soti nan kontwòl matyè premyè, pwosesis fabrikasyon ak sistèm kontwòl kalite pou asire ke pwodwi nou yo satisfè estanda endistri yo ak satisfè bezwen kliyan yo.
K: Ki kalite tèm peman ou aksepte?
A: Pou ti lòd, ou ka peye pa T/T, Western Union oswa Paypal, lòd nòmal pa T/T oswa LC nan kont konpayi nou an.
K: Kouman mwen ka jwenn yon echantiyon nan Carborundum Nwa?
A: echantiyon gratis ki disponib, men chaj machandiz yo pral nan kont ou ak chaj yo pral retounen ba ou oswa dedwi nan lòd ou a nan lavni.
K: Ki jan yo konfime Kalite pwodwi a anvan ou mete lòd?
A: Ou ka jwenn echantiyon gratis pou kèk pwodwi, ou sèlman bezwen peye pri anbake oswa fè aranjman pou yon courrier ba nou epi pran echantiyon yo. Ou ka voye ba nou espesifikasyon pwodwi ou yo ak demann, nou pral fabrike pwodwi yo dapre demann ou yo.
Baj popilè: nwa carborundum, Lachin nwa carborundum manifaktirè, Swèd, faktori
Ou ka renmen tou
Voye rechèch