Silisyòm Carbide

Pi wo Voltage Pann
SiC gen yon vòltaj pann ki pi wo konpare ak Silisyòm, ki pèmèt pou konsepsyon pi wo aparèy pouvwa vòltaj. SiC opere nan pi wo pase 10kV, siyifikativman pi wo a sa ki ka itilize kounye a. Aparèy SiC rated nan 1,200V ak 1,700V yo disponib.

Pi wo konduktivite tèmik
SiC gen yon pi wo konduktiviti tèmik konpare ak Silisyòm, ki mennen nan amelyore jesyon tèmik ak redwi pèt pouvwa. Pèfòmans nan Silisyòm vin pi mal sou pi wo tanperati, tandiske SiC se pi plis ki estab.

Pi wo Tanperati Fonksyònman
SiC ka opere nan pi wo tanperati konpare ak Silisyòm, ki rezilta nan fyab amelyore ak pi long lavi aparèy. Yon aparèy Silisyòm anjeneral depase-nan tanperati chanm pou kenbe spesifikasyon nan tanperati ki pi wo. Tipikman, yon aparèy SiC ak mwatye evalyasyon aktyèl la pral fè menm travay ak yon IGBT Silisyòm paske SiC pi estab sou pi wo tanperati epi li pa bezwen derating enpòtan.

Pi wo Chanjman Frekans
Pi wo frekans vle di redwi gwosè ak pwa nan mayetik yo paske valè yo nan eleman nan filtè transfòmatè LC a vin siyifikativman pi ba. SiC ka chanje sou ak koupe pi vit konpare ak Silisyòm, ki rezilta nan dansite pouvwa amelyore ak efikasite nan aplikasyon elektwonik pouvwa.

Lower Forward Voltage Drop
SiC gen yon pi ba vòltaj pi devan konpare ak Silisyòm, absans la vityèl nan yon kouran ke pèmèt yon fèmen pi vit ak pèt dramatikman pi ba. Depi gen mwens enèji pou gaye, yon aparèy SiC ka chanje nan pi wo frekans ak amelyore efikasite.

Silisyòm Carbide (SiC) se yon konpoze chimik ki konpoze de kabòn ak Silisyòm. Li se li te ye pou pwopriyete abrazif ekselan li yo e li te itilize pou fabrike wou fanm k'ap pile ak lòt pwodwi abrazif pou plis pase yon syèk. Sepandan, li te devlope tou nan yon wo-semik kalite teknik ak yon pakèt aplikasyon.

Youn nan pwopriyete chimik kle nan carbure Silisyòm se rezistans li nan asid ak baz. Li pa fonn nan asid oswa baz men li ka atake pa fonn alkalin ak kèk metal ak oksid metal fonn. Li ka kenbe tèt ak tanperati jiska 1,500 degre nan yon gaz inaktif oswa diminye atmosfè.

An tèm de pwopriyete fizik, carbure Silisyòm gen yon dansite ki ba, gwo fòs, ak ba ekspansyon tèmik. Li tou gen gwo konduktiviti tèmik, segondè dite, ak yon modil elastik segondè. Pwopriyete sa yo fè li apwopriye pou plizyè aplikasyon, tankou abrazif, refractories, seramik, ak konpozan pèfòmans segondè-.

Silisyòm carbure se trè inaktif epi li pa atake pa asid, alkali, oswa sèl fonn jiska 800 degre. Nan lè a, li fòme yon kouch pwoteksyon oksid Silisyòm nan 1200 degre, ki pèmèt li yo dwe itilize nan tanperati jiska 1600 degre. Kondiktivite tèmik segondè li yo ak ekspansyon tèmik ki ba, konbine avèk fòs segondè li yo, ba li eksepsyonèl rezistans chòk tèmik.

Materyèl la se tou yon kondiktè elektrik epi li jwenn aplikasyon pou chofaj rezistans, ignitè flanm dife, ak konpozan elektwonik. Pite chimik li yo ak rezistans nan atak chimik nan tanperati ki wo fè li popilè pou itilize nan founo semi-conducteurs kòm sipò plato wafer ak pedal. Anplis de sa, li se itilize nan eleman chofaj rezistans pou fou elektrik ak kòm yon eleman kle nan tèmistè ak varistor.

An tèm de pwopriyete tèmik, carbure Silisyòm gen yon konduktiviti tèmik relativman wo ak yon koyefisyan ki ba nan ekspansyon tèmik konpare ak lòt materyèl seramik. Sa a rezilta nan favorab rezistans chòk tèmik, ki fè li apwopriye pou aplikasyon pou kote chanjman tanperati rapid rive.

Ki sa ki Silisyòm ak Silisyòm Carbide Te fè?

Lè sentèz nan fòm pi bon kalite li yo, Silisyòm fòme yon estrikti cristalline kote yon sèl atòm Silisyòm fòme yon kosyon ak kat lòt atòm Silisyòm adjasan. Substra baz Silisyòm sa a ka doped ak plizyè lòt eleman pou fòme junctions semiconductor sou yon wafer de substrate Silisyòm.

Silisyòm carbure, nan lòt men an, se yon melanj de Silisyòm ak atòm kabòn ki fòme yon varyete estrikti cristalline. Estrikti ki pi lajman adopte pou itilize semi-conducteurs yo se 3C, 4C, ak 6H Silisyòm carbure, tout nan yo ki gen diferan pwopriyete elektrik ak avantaj lè dope ak eleman divès kalite. Silisyòm wafers grandi jiska 8-12 pous epi fòme nan yon faz fonn nan Silisyòm pi bon kalite. Silisyòm carbure, sepandan, jeneralman sentèz soti nan faz la vapè epi li ka grandi jiska sis pous.

Silisyòm & Silisyòm Carbide Pwopriyete: pouvwa ak vitès
Bay kapasite li nan kenbe tèt ak pi wo jaden elektrik, materyèl substra carbure Silisyòm ka kenbe tèt ak pi wo vòltaj anvan kraze. Silisyòm gen yon vòltaj pann anviwon 600V, pandan y ap carbure Silisyòm ka kenbe tèt ak vòltaj 5-10 fwa pi wo. Ki sa sa vle di nan pratik se ke aplikasyon pou gwo pouvwa yo pral kapab itilize teknoloji semi-conducteurs, oswa ke yon aparèy ki gen menm diferans vòltaj ka vin prèske dis fwa pi piti. Silisyòm carbure ka chanje nan prèske dis fwa pousantaj Silisyòm, ki rezilta nan pi piti sikwi kontwòl.

Silisyòm & Silisyòm Carbide Aplikasyon nan mond reyèl la
Yon gwo egzanp endistri aplikasyon carbure Silisyòm sou Silisyòm se nan endistri machin elektrik la. Lè w ap kondwi yon EV, sistèm elektwonik la fèt pou sipòte tout chaj kapasite machin nan, ki ka reyalize nan konsepsyon ki baze sou Silisyòm ak carbure Silisyòm-. Silisyòm IGBT yo souvan itilize nan varyateur EV, kote yo kondwi motè ki mache ak batri-. Sepandan, bay sik kondwi nòmal yon machin nan yon machin (sètadi, pa itilize yon chaj plen), gwo rezistans Silisyòm fè li pito efikas. Depi carbure Silisyòm ka okipe menm kondisyon konsepsyon chaj yo nan yon gwosè ki pi piti, carbure Silisyòm vin siyifikativman pi efikas epi li ka imedyatman ogmante efikasite tout sistèm varyateur la pa prèske 80%.